大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严中国最早的朝代，中国最早的皇帝是谁重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　中国最早的朝代，中国最早的皇帝是谁p>

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 中国最早的朝代，中国最早的皇帝是谁