大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键(jià1兆等于多少mb流量，1G等于多少MBn)信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工(g1兆等于多少mb流量，1G等于多少MBōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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