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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 京j属于北京哪个区的车海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市京j属于北京哪个区的车场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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