大家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。凝神静气的意思 凝神静气是成语吗rong>为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

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　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、凝神静气的意思 凝神静气是成语吗西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。