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食盐水的化学式怎么写,石灰水的化学式怎么写

食盐水的化学式怎么写,石灰水的化学式怎么写 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发(fā)消息。

  美光公司在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患,对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险,影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为(wèi)此,网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

  此次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查,目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全,是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链安全,防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险,维护国(guó)家(jiā)安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》,网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头,也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一,2022年(nián)收入来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì),江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性,巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势,公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

  有券(quàn)商此前就分析,如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制,或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同(t食盐水的化学式怎么写,石灰水的化学式怎么写óng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75%。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单,设备(bèi)国产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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