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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗wǎng)络安全审查。凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗p>

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行(xín凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗g)网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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