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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公特朗普是哪个党派的 特朗普是美国第几任告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储特朗普是哪个党派的 特朗普是美国第几任、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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