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　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中(zh1亿等于多少万ōng)国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōn1亿等于多少万g)受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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