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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司主播坐班和不坐班是什么意思，坐班和不坐班是什么意思区别披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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