大(dà)家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(y在办公室做剧烈运动，卫生间做剧烈运动īng)链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(h在办公室做剧烈运动，卫生间做剧烈运动uá)销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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