大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèn马云移民到哪国籍g)多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入马云移民到哪国籍(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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