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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》name是什么意思 name是姓还是名等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子name是什么意思 name是姓还是名、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

name是什么意思 name是姓还是名　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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